IPB033N10N5LF دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IPB033N10N5LF
|
|
حجم فایل
|
51.285
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
11
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPB033N10N5LF
-
Power Dissipation (Pd):
179W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
100V
-
Continuous Drain Current (Id):
120A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4.1V@150uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
3.3mΩ@10V,100A
-
Package:
TO-263
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
-
Part id:
1117717
